• Skip to main content
  • Skip to footer
Bredengen
MENY
  • Engelsk
  • Bransjer
    • Telekom
    • Industri
    • Luftfart
    • Romfart
    • Forsvar
    • Innendørs dekning
    • Samferdsel
    • Maritim
    • Sikkerhet
  • Produkter
    • Radiofrekvens
    • Fiberoptikk
    • Komponenter
  • Produsenter
  • Fokusområder
  • Om Bredengen
Kontakt oss

Professor Birkelandsvei 25,
N-1081 Oslo

+47 21 00 91 00 bredengen@bredengen.no

HjemProdukterKomponenterGaN Effekt Transistorer og Power moduler

GaN Effekt Transistorer og Power moduler

Vår leverandør Teledyne e2v tilbyr GaN Systems og PSEMI RF power moduler som er primært dedikert til Hi-Rel applikasjoner.

 

Den ledende Galium Nitride-teknologien i GaN System’s FET transistorer gjør det mulig med design som har ekstremt høy tetthet – ofte uten bruk av kjøleplater. Man ser design som er opp til fire ganger tettere enn MOSFET design med samme ytelse.

 

De PSEMI, RF-baserte POL-produktene, kombinerer enestående ytelse med høye integrasjonsnivåer og er samtidig enkle å integrere i en konstruksjon. Sparer mye design tid og PCB plass. POL modulene er primært konstruert for og benyttes til å strømforsyne FPGA’er.

 

 

TD5-serien

TD5-serien høy pålitelighet 10A DC-DC POL-modul – TD5-serien med høy pålitelighet DC-DC-omformer last-last-modul med alle passive komponenter integrert, og krever ingen eksterne kondensatorer eller induktorer. Det inkluderer spenningsutkobling, syklus-per-syklus strømbeskyttelse og termisk avstenging. TD5 bruker en romfartsprøvd, monolitisk DC-DC-kontroller, som har egen strålingstoleranse. Modulen er pakket i en hermetisk 16-leder Ceramic Flat Pack-pakke.

 

TD5

 

gan-discharge
gan-discharge
gan-use

Professor Birkelandsvei 25, N-1081 Oslo

+47 21 00 91 00
bredengen@bredengen.no

  • Kontakt oss
  • Ansatte
  • Personvernerklæring
  • Salgsbetingelser
  • Miljøansvar
  • Konflikt Mineraler Policy